T1G6001528-Q3 datasheet
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>> T1G6001528-Q3 射频GaAs晶体管 DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
T1G6001528-Q3
库存数量:
可订货
制造商:
TriQuint Semiconductor
描述:
射频GaAs晶体管 DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述
射频GaAs晶体管 DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB
T1G6001528-Q3 PDF下载
制造商
TriQuint Semiconductor
技术类型
HEMT
频率
6 GHz
增益
11.5 dB
噪声系数
正向跨导 gFS(最大值/最小值)
漏源电压 VDS
28 V
闸/源击穿电压
- 3.7 V
漏极连续电流
1.5 A
最大工作温度
+ 200 C
功率耗散
26 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
EAR99
相关资料
属性
链接
代理商
T1G6001528-Q3
T1G6001528-Q3-EVB1
T1G6003028
T1G6003028-FS
T1G6003028-SP
T1L2003028-SP28V
供应商
公司名
电话
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
0755-8281200482811605
朱先生
深圳市华芯盛世科技有限公司
0755-23941632
朱先生/李小姐
上海航欧机电设备有限公司
15921821180
邓超
深圳市晶美隆科技有限公司
0755-82519391
李林
深圳市大合云芯科技有限公司
13590332260
何生
深圳市宝安区广联芯电子商行
18824399684
庄先生
深圳市司马科技有限公司
13533399478
陈义
T1G6001528-Q3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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